P-kanal transistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v

Antal
Enhedspris
1-4
12.87kr
5-49
10.63kr
50-99
9.49kr
100+
8.35kr
Antal på lager: 2254

P-kanal transistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (maks.): 7.1A. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 8:1. GS-beskyttelse: ingen. ID (T=100°C): 5.7A. IDss (min): 1uA. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 2. On-resistance Rds On: 0.02 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. RoHS: ja. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diode (min.): 60 ns. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
SI4925BDY
19 parametre
ID (T=25°C)
7.1A
Idss (maks.)
7.1A
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
30 v
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
8:1
GS-beskyttelse
ingen
ID (T=100°C)
5.7A
IDss (min)
1uA
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
2
On-resistance Rds On
0.02 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
1uA
RoHS
ja
Teknologi
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Trr-diode (min.)
60 ns
Originalt produkt fra producenten
Vishay