P-kanal transistor SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

P-kanal transistor SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Antal
Enhedspris
1-4
10.10kr
5-24
8.35kr
25-49
7.45kr
50+
6.55kr
Antal på lager: 92

P-kanal transistor SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (maks.): 10uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 2. C (i): 335pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 35A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 105pF. On-resistance Rds On: 0.23 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 42W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 35.2A. Td(fra): 48 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: SIPMOS Power-Transistor. Trr-diode (min.): 60us. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
SPD08P06P
30 parametre
ID (T=25°C)
8.8A
Idss (maks.)
10uA
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
60V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
2
C (i)
335pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
ID (T=100°C)
6.2A
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
35A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
105pF
On-resistance Rds On
0.23 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
42W
RoHS
ja
Spec info
ID pulse 35.2A
Td(fra)
48 ns
Td(on)
16 ns
Teknologi
SIPMOS Power-Transistor
Trr-diode (min.)
60us
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2.1V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies