P-kanal transistor YJP30GP10A, -100V, 30A, TO-220AB

P-kanal transistor YJP30GP10A, -100V, 30A, TO-220AB

Antal
Enhedspris
1-4
12.74kr
5-19
10.23kr
20-49
9.18kr
50-99
8.33kr
100-149
7.76kr
150+
7.54kr
Antal på lager: 746

P-kanal transistor YJP30GP10A, -100V, 30A, TO-220AB. Drain-source spænding (Vds): -100V. Max drænstrøm: 30A. Hus: TO-220AB. Effekt: 125W. Kanaltype: P. On-resistance Rds On: 0.056 Ohms. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Originalt produkt fra producenten: Yangjie Electronic Technology. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
YJP30GP10A
8 parametre
Drain-source spænding (Vds)
-100V
Max drænstrøm
30A
Hus
TO-220AB
Effekt
125W
Kanaltype
P
On-resistance Rds On
0.056 Ohms
Type transistor
MOSFET effekttransistor
Originalt produkt fra producenten
Yangjie Electronic Technology