SI4435DDY-T1-GE3
Antal
Enhedspris
5-9
9.07kr
10-49
8.75kr
50-199
7.80kr
200-999
7.23kr
1000+
6.56kr
| Antal på lager: 191 |
SI4435DDY-T1-GE3. Funktioner: -. Hus: SO8. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm): 11.4A. Information: -. MSL: -. Monteringstype: SMD. Pd (Strømafledning, maks.) ): 5W. Polaritet: MOSFET P. Port/kildespænding Vgs max: -20V. Serie: TrenchFET. Vdss (Dræn til kildespænding): -30V. Originalt produkt fra producenten: Vishay Siliconix. Minimumsmængde: 5. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14
SI4435DDY-T1-GE3
10 parametre
Hus
SO8
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig drænstrøm)
11.4A
Monteringstype
SMD
Pd (Strømafledning, maks.) )
5W
Polaritet
MOSFET P
Port/kildespænding Vgs max
-20V
Serie
TrenchFET
Vdss (Dræn til kildespænding)
-30V
Originalt produkt fra producenten
Vishay Siliconix
Minimumsmængde
5