1N5408, DO-27, 1000V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm )

1N5408, DO-27, 1000V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm )

Antal
Enhedspris
10-49
0.69kr
50-99
0.60kr
100-199
0.52kr
200+
0.43kr
+32477 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 1494
Minimum: 10

1N5408, DO-27, 1000V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Hus: DO-27. Hus (JEDEC-standard): -. VRRM: 1000V. Fremadgående strøm (AV): 3A. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 3A. IFSM: 200A. Videresend nuværende [A]: 3A. Hus (i henhold til datablad): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 2. Cj: 40pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Diode konfiguration: uafhængig. Diode type: ensretter diode. Driftstemperatur: -65...+175°C. Fremadspænding (maks.): <1.0V / 3A. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. Halvledermateriale: silicium. Halvlederstruktur: diode. Ifsm [A]: 200A. Information: -. Komponentfamilie: Standard ensretterdiode. Konditionering: Ammo Pack. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Kørselsstrøm: 3A. Ledningsspænding (tærskelspænding): 1.1V. Lukspænding (gentagen) Vrrm [V]: 1 kV. Lækstrøm ved lukning Ir [A]: 10uA. MR (max): 500uA. MR (min): 5uA. MSL: -. Maksimal omvendt spænding: 1kV, 1000V. Max temperatur: +175°C.. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Monteringstype: THT. Mængde pr tilfælde: 1. Omvendt gendannelsestid (maks.): 1500ns. Pulsstrøm max.: 200A. RoHS: ja. Serie: 1N54. Skiftehastighed (regenereringstid) tr [sek.]: -. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Trr-diode (min.): 5us. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Tærskelspænding: 1.2V, 1.1V. [V]: 1.2V @ 3A. Originalt produkt fra producenten: Dc Components Co. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 14:24

Teknisk dokumentation (PDF)
1N5408
44 parametre
Hus
DO-27
VRRM
1000V
Fremadgående strøm (AV)
3A
Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode
3A
IFSM
200A
Videresend nuværende [A]
3A
Hus (i henhold til datablad)
DO-27 ( 9.2x5.2mm )
Antal terminaler
2
Antal terminaler
2
Cj
40pF
Dielektrisk struktur
Anode-katode
Diode konfiguration
uafhængig
Diode type
ensretter diode
Driftstemperatur
-65...+175°C
Fremadspænding (maks.)
<1.0V / 3A
Fremadspænding Vf (min)
1.1V
Halvledermateriale
silicium
Halvlederstruktur
diode
Ifsm [A]
200A
Komponentfamilie
Standard ensretterdiode
Konditionering
Ammo Pack
Konfiguration
Gennemgående hulmontering af printkort
Kørselsstrøm
3A
Ledningsspænding (tærskelspænding)
1.1V
Lukspænding (gentagen) Vrrm [V]
1 kV
Lækstrøm ved lukning Ir [A]
10uA
MR (max)
500uA
MR (min)
5uA
Maksimal omvendt spænding
1kV, 1000V
Max temperatur
+175°C.
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Monteringstype
THT
Mængde pr tilfælde
1
Omvendt gendannelsestid (maks.)
1500ns
Pulsstrøm max.
200A
RoHS
ja
Serie
1N54
Spec info
IFSM--200Ap t=8.3ms
Trr-diode (min.)
5us
Tærskelspænding Vf (maks.)
1.1V
Tærskelspænding
1.2V, 1.1V
[V]
1.2V @ 3A
Originalt produkt fra producenten
Dc Components Co
Minimumsmængde
10

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til 1N5408