Standard- og ensretterdioder

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 0.8A. VRRM: 400V

Cj: 120pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 10A. IFSM: 400A. MR (max): 100uA. MR (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: 28.7k Ohms. Ækvivalenter: P1000M, 10A07-TP. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: R-6. Hus (i henhold til datablad): R-6 ( 8.9x8.8mm ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms

Cj: 183pF. Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Halvledermateriale: Sb. Funktion: Schottky ensretterdiode. Fremadgående strøm (AV): 12A. IFSM: 330A. Ækvivalenter: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.95V. Fremadspænding Vf (min): 0.85V. VRRM: 100V. Antal terminaler: 2. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V

Cj: 180pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 45 ns. Bruges til: kan også bruges til solcelleanlæg. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 150A. IFSM: 1600A. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): POWERTAB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.13V. Fremadspænding Vf (min): 0.99V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Funktion: Ultrahurtig blød gendannelsesdiode

Cj: 100pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 60 ns. Bruges til: kan også bruges til solcelleanlæg. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 150A. IFSM: 1500A. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): POWERTAB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.07V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Funktion: Ultrahurtig blød gendannelsesdiode

Halvledermateriale: Sb. Fremadgående strøm (AV): 19A. Schottky diode?: schottky. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. VRRM: 15V. bemærk: 700App/5us, 330App/10ms. bemærk: Vfm 0.36V/19A

VRRM: 100V. Lukspænding (gentagen) Vrrm [V]: 100V. Lækstrøm ved lukning Ir [A]: 5uA..50uA. driftstemperaturområde min (°C): -50°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Skiftehastighed (regenereringstid) tr [sek.]: DO-41 ( DO-204AL ). Fremadspænding Vf (min): 1.1V. Hus: DO41. Diode type: ensretter diode. Diode konfiguration: uafhængig. Fremadspænding (maks.): <1.1V / 1A. Monteringstype: THT. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 1A. Omvendt lækstrøm: <50uA / 100V. Omvendt gendannelsestid (maks.): 1500ns. Produktserie: 1N40

Cj: 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( DO-204AL ). Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

RoHS: ja . Hus: DO-41. Cj: 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): DO-41. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( DO-204AL ). Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Cj: 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms

RoHS: ja . Hus: SOD-323. Cj: 2pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: High-speed dioder. Fremadgående strøm (AV): 150mA. IFSM: 300mA. Andet navn: IN4148. MR (max): 1uA. MR (min): 25nA. Antal terminaler: 2. Dimensioner: 1,7x1,25x1 mm. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus (i henhold til datablad): SOD-323F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 0.715V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A

Trr-diode (min.): 4 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 500mA. IFSM: 1A. MR (max): 50uA. MR (min): 25nA. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-35 ( SOD27 ). Hus (i henhold til datablad): DO-35. Driftstemperatur: -50...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. VRRM: 100V

RoHS: ja . Komponentfamilie: Siliciumdiode med lille signal. Hus: PCB-lodning . Hus: DO-35. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 2. Videresend nuværende [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 4A. Lukspænding (gentagen) Vrrm [V]: 100V. Lækstrøm ved lukning Ir [A]: 25nA..50uA. Skiftehastighed (regenereringstid) tr [sek.]: 4 ns. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Fremadspænding Vfmax (V): 1V @ 10mA

Halvledermateriale: silicium . Funktion: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Fremadgående strøm (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-35 ( SOD27 ). Hus (i henhold til datablad): DO-35. Driftstemperatur: -50...+200°C. VRRM: 50V

Trr-diode (min.): 2 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ultrahurtig koblingsdiode, Ifsm 1us 2A. Fremadgående strøm (AV): 0.2A. IFSM: 2A. MR (max): 50nA. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-35 ( SOD27 ). Hus (i henhold til datablad): DO-35. Driftstemperatur: -50...+200°C. Fremadspænding Vf (min): 1V. VRRM: 75V

Cj: 15pF. Trr-diode (min.): 150 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Hurtigt skift for høj effektivitet. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. MR (max): 100uA. MR (min): 5uA. RoHS: ja . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO41. Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: 30App/8.3ms

RoHS: ja . Hus: DO-41. Cj: 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 200 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Hurtigt skift for høj effektivitet. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. MR (max): 100uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( DO-204AL ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.2V. Fremadspænding Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Silicon Rectifier. Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 50A. MR (max): uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-15. Hus (i henhold til datablad): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. Driftstemperatur: -50...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3.3mA. bemærk: tunnel diode. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-35 ( SOD27 ). Hus (i henhold til datablad): DO-35. VRRM: 100V

Cj: 20pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-15. Hus (i henhold til datablad): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 300V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: høj strømkapacitet, lavt fremadgående spændingsfald. Spec info: IFSM--50Ap

Cj: 20pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MR (max): 50uA. MR (min): 5uA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-15. Hus (i henhold til datablad): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 500V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: høj strømkapacitet, lavt fremadgående spændingsfald. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Cj: 20pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MR (max): 50uA. MR (min): 5uA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-15. Hus (i henhold til datablad): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: høj strømkapacitet, lavt fremadgående spændingsfald. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Cj: 40pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 5us. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 200A. MR (max): 500uA. MR (min): 5uA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Antal terminaler: 2. bemærk: GI. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Cj: 40pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 5us. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 200A. MR (max): 500uA. MR (min): 5uA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Antal terminaler: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Cj: 40pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 5us. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 200A. MR (max): 500uA. MR (min): 5uA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Antal terminaler: 2. bemærk: centerafstand 15 mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms