2SC1962

Halvledermateriale: silicium . FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorstrøm: 0.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-32. Hus (JEDEC-standard): TO-126. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE340. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 300V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE350. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Omkostninger): 30pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 0.5A. bemærk: plastikhus. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20.8W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-225. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 300V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE350. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorstrøm: 0.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Mængde pr tilfælde: 1