2SJ512

2SJ512. C (i): 800pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: P. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 205 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Forbedringstilstand lav drænkilde ved modstand . Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. On-resistance Rds On: 1 Ohm. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 70 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: Silicon P Chanel Mos Fet. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 250V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. GS-beskyttelse: ja . Antal på lager opdateret den 15/01/2025, 10:25.