AO4710

AO4710. C (i): 1980pF. Omkostninger): 317pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 11.2 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. Idss (maks.): 20mA. IDss (min): 0.02mA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3.1W. On-resistance Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 12V. Vgs (th) maks.: 2.3V. Vgs (th) min.: 1.5V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: FET i SMPS, belastningsskift. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 15/01/2025, 20:25.