AOD9N50

AOD9N50. C (i): 962pF. Omkostninger): 98pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 332ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 178W. On-resistance Rds On: 0.71 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 55 ns. Td(on): 24 ns. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): D-PAK TO-252AA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3.3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 15/01/2025, 20:25.