AP40T03GJ

AP40T03GJ. C (i): 655pF. Omkostninger): 145pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (maks.): 25uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 40T03 GP. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 31.25W. On-resistance Rds On: 25m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 16 ns. Td(on): 6 ns. Teknologi: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251 ( I-Pak ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 15/01/2025, 20:25.