BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V

BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V

Antal
Enhedspris
10-49
0.24kr
50-99
0.22kr
100+
0.19kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 2396
Minimum: 10

BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V. Fremadgående strøm (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Antal terminaler: 3. Bemærk: serigrafi/SMD-kode A6s, A6t. Cj: 2pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Fremadspænding Vf (min): 715mV. Funktion: skifte diode. Halvledermateriale: silicium. MR (max): 50uA. MR (min): 1uA. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: A6s. RoHS: ja. Trr-diode (min.): 6 ns. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 18:01

Teknisk dokumentation (PDF)
BAS16LT-1
22 parametre
Fremadgående strøm (AV)
200mA
IFSM
500mA
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
318–08, SOT–23 (TO–236AB)
VRRM
75V
Antal terminaler
3
Bemærk
serigrafi/SMD-kode A6s, A6t
Cj
2pF
Dielektrisk struktur
Anode-katode
Fremadspænding Vf (min)
715mV
Funktion
skifte diode
Halvledermateriale
silicium
MR (max)
50uA
MR (min)
1uA
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
A6s
RoHS
ja
Trr-diode (min.)
6 ns
Tærskelspænding Vf (maks.)
1.25V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor
Minimumsmængde
10

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til BAS16LT-1