BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

Antal
Enhedspris
10-49
0.30kr
50-99
0.26kr
100-499
0.23kr
500+
0.17kr
+12380 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 1957
Minimum: 10

BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V. Fremadgående strøm (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Antal terminaler: 3. Bemærk: serigrafi/SMD-kode JS. Cj: 5pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Driftstemperatur: -55...+150°C. Fremadspænding Vf (min): 1V. Funktion: Højspændingskoblingsdiode. Halvledermateriale: silicium. MR (max): 100uA. MR (min): 0.1uA. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: JS. RoHS: ja. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Trr-diode (min.): 50 ns. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Originalt produkt fra producenten: Nxp Semiconductors. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 18:01

Teknisk dokumentation (PDF)
BAS21
24 parametre
Fremadgående strøm (AV)
200mA
IFSM
625mA
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
250V
Antal terminaler
3
Bemærk
serigrafi/SMD-kode JS
Cj
5pF
Dielektrisk struktur
Anode-katode
Driftstemperatur
-55...+150°C
Fremadspænding Vf (min)
1V
Funktion
Højspændingskoblingsdiode
Halvledermateriale
silicium
MR (max)
100uA
MR (min)
0.1uA
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
JS
RoHS
ja
Spec info
IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A
Trr-diode (min.)
50 ns
Tærskelspænding Vf (maks.)
1.25V
Originalt produkt fra producenten
Nxp Semiconductors
Minimumsmængde
10