BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V

BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V

Antal
Enhedspris
10-49
0.22kr
50-99
0.19kr
100-499
0.16kr
500+
0.11kr
+32419 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 2074
Minimum: 10

BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Fremadgående strøm (AV): 200mA. IFSM: 1A. Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Antal terminaler: 3. Bemærk: serigrafi/SMD-kode A1s. Cj: 2pF. Dielektrisk struktur: fælles anode. Diode type: skifte diode. Effekt: 350mW. Egenskaber af halvleder: Super hurtig skift. Fremadspænding Vf (min): 0.715V. Funktion: Ultra High Speed Switching. Halvledermateriale: silicium. Halvledertype: diode. Ledningsspænding (tærskelspænding): 1.25V. MR (max): 50uA. MR (min): 0.15uA. Maksimal omvendt spænding: 70V, 85V. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 2. Mærkning på kabinettet: A1s. Pulsstrøm max.: 2A. Reaktionstid: 4ns, 6ns. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 4 ns. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Tærskelspænding: 1V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 18:01

Teknisk dokumentation (PDF)
BAW56
33 parametre
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Fremadgående strøm (AV)
200mA
IFSM
1A
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
80V
Antal terminaler
3
Bemærk
serigrafi/SMD-kode A1s
Cj
2pF
Dielektrisk struktur
fælles anode
Diode type
skifte diode
Effekt
350mW
Egenskaber af halvleder
Super hurtig skift
Fremadspænding Vf (min)
0.715V
Funktion
Ultra High Speed Switching
Halvledermateriale
silicium
Halvledertype
diode
Ledningsspænding (tærskelspænding)
1.25V
MR (max)
50uA
MR (min)
0.15uA
Maksimal omvendt spænding
70V, 85V
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
2
Mærkning på kabinettet
A1s
Pulsstrøm max.
2A
Reaktionstid
4ns, 6ns
RoHS
ja
Spec info
Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
4 ns
Tærskelspænding Vf (maks.)
1.25V
Tærskelspænding
1V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies
Minimumsmængde
10