Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 9 | 4.05kr | 5.06kr |
10 - 24 | 3.85kr | 4.81kr |
25 - 26 | 3.65kr | 4.56kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 4.05kr | 5.06kr |
10 - 24 | 3.85kr | 4.81kr |
25 - 26 | 3.65kr | 4.56kr |
BD830. Halvledermateriale: silicium . FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Hus: TO-202. Hus (i henhold til datablad): TO-202; SOT128B. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD829. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 16/01/2025, 16:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.