BDT64C

BDT64C. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 1500. Minimum hFE-forstærkning: 750. Kollektorstrøm: 12A. Ic (puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Darlington transistor. tf (maks.): 2.5us. tf (min): 0.5us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. bemærk: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: komplementær transistor (par) BDT65C. BE-diode: ja . CE-diode: ja . Antal på lager opdateret den 16/01/2025, 16:25.