BUZ77B

BUZ77B. C (i): 460pF. Omkostninger): 55pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Td(fra): 50 ns. Td(on): 8 ns. Teknologi: V-MOS. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Mængde pr tilfælde: 1. Antal på lager opdateret den 18/01/2025, 02:25.