CSD17313Q2T

CSD17313Q2T. C (i): 260pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 1uA. Antal terminaler: 6. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 17W. On-resistance Rds On: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Teknologi: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Hus: WSON6. Hus (i henhold til datablad): 2 mm × 2 mm plastikkasse. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. Vgs (th) maks.: 1.8V. Vgs (th) min.: 0.9V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 18/01/2025, 01:25.