Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner

DSEI2X121-02A

DSEI2X121-02A
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 1 330.72kr 413.40kr
2 - 2 314.18kr 392.73kr
3 - 4 283.50kr 354.38kr
5 - 9 267.75kr 334.69kr
10 - 13 255.57kr 319.46kr
Antal U.P
1 - 1 330.72kr 413.40kr
2 - 2 314.18kr 392.73kr
3 - 4 283.50kr 354.38kr
5 - 9 267.75kr 334.69kr
10 - 13 255.57kr 319.46kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Antal på lager : 13
Sæt med 1

DSEI2X121-02A. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. MR (max): 20mA. MR (min): 1mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 357W. RoHS: ja . Montering / installation: skrue . Teknologi: Epitaksial diode . Hus: ISOTOP ( SOT227B ). Hus (i henhold til datablad): ISOTOP ( SOT227B ). Driftstemperatur: -40...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Konditioneringsenhed: 10. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 4. Funktion: dobbelt hurtig gendannelsesdiode. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 06:25.

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.