Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 330.72kr | 413.40kr |
2 - 2 | 314.18kr | 392.73kr |
3 - 4 | 292.95kr | 366.19kr |
5 - 8 | 286.65kr | 358.31kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 330.72kr | 413.40kr |
2 - 2 | 314.18kr | 392.73kr |
3 - 4 | 292.95kr | 366.19kr |
5 - 8 | 286.65kr | 358.31kr |
DSEI2X121-02A. Fremadgående strøm (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Hus: ISOTOP ( SOT227B ). Hus (i henhold til datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 10. Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: dobbelt hurtig gendannelsesdiode. MR (max): 20mA. MR (min): 1mA. Antal terminaler: 4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 357W. RoHS: ja . Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montering / installation: skrue . Teknologi: Epitaksial diode . Driftstemperatur: -40...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 0.89V. Originalt produkt fra producenten IXYS. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 07:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.