FDC642P

FDC642P. C (i): 700pF. Omkostninger): 110pF. Kanaltype: P. Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. bemærk: serigrafi/SMD-kode 642. Mærkning på kabinettet: 642. Antal terminaler: 6. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.6W. On-resistance Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 120ns. Td(on): 6 ns. Teknologi: PowerTrench MOSFET. Hus: TSOP. Hus (i henhold til datablad): SUPERSOT-6. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 20V. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. Vgs (th) maks.: 1.5V. Vgs (th) min.: 0.4V. Funktion: Belastningskontakt, batteribeskyttelse. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja . Antal på lager opdateret den 18/01/2025, 04:25.