FDD6612A

FDD6612A. C (i): 1715pF. Omkostninger): 440pF. Kanaltype: P. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spændingsomformer. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (maks.): 1uA. bemærk: Logisk niveau gated transistor. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 52W. On-resistance Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 43 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: PowerTrench MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.