FDD6635

FDD6635. C (i): 1400pF. Omkostninger): 317pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. Idss (maks.): 59A. Mærkning på kabinettet: FDD6635. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 55W. On-resistance Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 28 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: PowerTrench MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 40V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 09:25.