N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (maks.): 2.7A. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spænding Vds (maks.): 200V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: MOS-N-FET. Antal terminaler: 3. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

N-kanal transistor, 20mA, TO-92, TO-92. ID (T=25°C): 20mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: JFET. Funktion: VHF/RF forstærker. Antal terminaler: 3. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (maks.): 9mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Spænding Vds (maks.): 25V. C (i): 4.5pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: JFET. Funktion: Uni sym. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: generel JFET-transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 3.5V. Port/kildespænding (fra) max.: 7V. Port/kildespænding (fra) min.: 1V. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (maks.): 16mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Spænding Vds (maks.): 25V. C (i): 2250pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 53 ns. Type transistor: FET. Funktion: Uni sym. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 4mA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: generel JFET-transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 4.5V. Port/kildespænding (fra) max.: 8V. Port/kildespænding (fra) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 5mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (maks.): 5mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Spænding Vds (maks.): 25V. C (i): 5pF. Omkostninger): 2pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: JFET. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: J-FET. Vgs (th) min.: 3V. Funktion: VHF/UHF, RF forstærker

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-46, 20V, 10mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-46. Drain-source spænding Uds [V]: 20V. Drænstrøm Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N6550. Gate-source breakpoint spænding Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W. Komponentfamilie: N-kanal JFET transistor. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +125°C

N-kanal transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, O-92Ammo-Pack, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (maks.): 1000uA. On-resistance Rds On: 5 Ohms. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): O-92Ammo-Pack. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 60pF. Omkostninger): 25pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 2n7000. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. Vægt: 0.18g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 10 ns. Td(on): 10 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 0.8V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (maks.): 1000uA. On-resistance Rds On: 5 Ohms. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 60pF. Omkostninger): 25pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 2n7000. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. Vægt: 0.18g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 10 ns. Td(on): 10 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 0.8V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. ID (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 7.5 Ohms. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 60V. RoHS: ja . C (i): 50pF. Omkostninger): 25pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Lille signal MOSFET transistor. Id(imp): 0.8A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 702. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 40 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1V. Spec info: 702. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 60V, 0.210A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: K72. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 2.8 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 7.6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.37W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V. ID (T=100°C): 0.14A. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 3.2 Ohms. Hus: SOT-363 ( SC-88 ). Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 22pF. Omkostninger): 11pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 2. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: K72. Antal terminaler: 6. Pd (Strømafledning, maks.) ): 400mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 11 ns. Td(on): 7 ns. Teknologi: Enhancement Mode MOSFET . Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1V. Funktion: Motorstyring, Strømstyring. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 60V, 0.115A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 72. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 20 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 30A, TO-220FP, TO-220D-A1, 300V. Ic(T=100°C): 30A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220D-A1. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. C (i): 580pF. Omkostninger): 86pF. Kanaltype: N. Funktion: Plasma-skærm driver. Kollektorstrøm: 30A. Ic (puls): 60.4k Ohms. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 120ns. Td(on): 87 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Port/emitter spænding VGE: 30 v. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 40A, TO-220FP, TO-220D-A1, 540V. Ic(T=100°C): 40A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220D-A1. Kollektor/emitterspænding Vceo: 540V. C (i): 1200pF. Omkostninger): 125pF. Kanaltype: N. Funktion: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Kollektorstrøm: 40A. Ic (puls): 230A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 200 ns. Td(on): 75 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.95V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Port/emitter spænding VGE: 30 v. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 20mA, 2.5mA, 2.5mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (maks.): 2.5mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Spænding Vds (maks.): 30 v. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: FET. IDss (min): 2.5mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Funktion: HF-forstærkning

N-kanal transistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 300uA. On-resistance Rds On: 0.95 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1400pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 8.5 ns. Td(on): 4 ns. Teknologi: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 300uA. On-resistance Rds On: 0.95 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1400pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 85 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: Felteffekttransistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 1000V, 8A, 300uA, 1.5 Ohms. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1B. Spænding Vds (maks.): 1000V. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 300uA. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Td(fra): 100 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: Silicon N Channel Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 3.5V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1.5V. C (i): 1300pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. Mærkning på kabinettet: K1120. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Spec info: DC-DC konverter og motordrev applikation. Vægt: 4.6g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.27 Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 2800pF. Omkostninger): 780pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 80A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 200 ns. Td(on): 32 ns. Teknologi: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 30A, 30A, 0.08 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 30A. Idss (maks.): 30A. On-resistance Rds On: 0.08 Ohms. Spænding Vds (maks.): 60V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W

N-kanal transistor, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 300uA. On-resistance Rds On: 0.95 Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1400pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 85 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: V-MOS-L. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1.5V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF, 900V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Spænding Vds (maks.): 900V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (i): 1400pF. Omkostninger): 200pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 300 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 2.5V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220, 500V, 5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: K1246. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 100 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 180 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 4 Ohms. Hus: TO-3PN 13-16A1A. Spænding Vds (maks.): 1400V. C (i): 1800pF. Omkostninger): 500pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1400 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højspændingskobling. Id(imp): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 240W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 220 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: MOSFET transistor. Driftstemperatur: -...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Port/kildespænding (fra) max.: 3.5V. Port/kildespænding (fra) min.: 1.5V. Afløbskildebeskyttelse: ja . Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 15A, 30A, 30A, 0.028 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 30A. Idss (maks.): 30A. On-resistance Rds On: 0.028 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 60V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: V-MOS. Spec info: Logisk niveau kompatibel