FDN358P

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	4.49kr	5.61kr
5 - 9	4.26kr	5.33kr
10 - 24	4.04kr	5.05kr
25 - 49	3.81kr	4.76kr
50 - 99	3.72kr	4.65kr
100 - 249	3.84kr	4.80kr
250 - 1316	3.52kr	4.40kr

Antal	U.P
1 - 4	4.49kr	5.61kr
5 - 9	4.26kr	5.33kr
10 - 24	4.04kr	5.05kr
25 - 49	3.81kr	4.76kr
50 - 99	3.72kr	4.65kr
100 - 249	3.84kr	4.80kr
250 - 1316	3.52kr	4.40kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 1316

Sæt med 1

FDN358P. C (i): 182pF. Omkostninger): 56pF. Kanaltype: P. Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 358. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. On-resistance Rds On: 0.105 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: PowerTrench MOSFET. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 18/01/2025, 04:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!