FET og MOSFET transistorer

P-kanal transistor, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (maks.): 1uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): PG-TO220-3. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 335pF. Omkostninger): 105pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 32.5A. ID (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 42W. On-resistance Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 48 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: SIPMOS Power-Transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2.1V

P-kanal transistor, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (maks.): 10uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 230pF. Omkostninger): 95pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: dv/dt vurderet forbedringstilstand. GS-beskyttelse: diode. Id(imp): 74.8A. ID (T=100°C): 13.2A. IDss (min): 0.1uA. Mærkning på kabinettet: 18P06P. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 81W. On-resistance Rds On: 0.102 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 25 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: SIPMOS Power-Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2.7V

P-kanal transistor, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 10uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 60V. RoHS: ja . C (i): 340pF. Omkostninger): 40pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 20 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: skifte kredsløb. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 7.2A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 10P6F6. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. On-resistance Rds On: 0.13 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 64 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: Lav portopladning STRipFET™ II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

P-kanal transistor, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 80A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 5500pF. Omkostninger): 1130pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 165 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: STripFETTM II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) min.: 2V

P-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, -60V, -53A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: SUP53P06-20. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 15 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 104W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SO8, -30V, -4.9A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SO8. Drain-source spænding Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -1.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 9 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 745pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lodning , TO-92, -100V, -0.23A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Drain-source spænding Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: ZVP2110A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -3.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 7 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 12 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 100pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.7W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, -60V, -0.09A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Drain-source spænding Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: ZVP3306F. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -3.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.33W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lodning , TO-92, -240V, -0.2A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Drain-source spænding Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -2.0V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 15 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 200pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.75W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C