Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner

FQD7N10L

FQD7N10L
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 4 14.43kr 18.04kr
5 - 9 13.71kr 17.14kr
10 - 24 12.99kr 16.24kr
25 - 49 12.27kr 15.34kr
50 - 50 11.98kr 14.98kr
Antal U.P
1 - 4 14.43kr 18.04kr
5 - 9 13.71kr 17.14kr
10 - 24 12.99kr 16.24kr
25 - 49 12.27kr 15.34kr
50 - 50 11.98kr 14.98kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Antal på lager : 50
Sæt med 1

FQD7N10L. C (i): 220pF. Omkostninger): 55pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: FQD7N10L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. On-resistance Rds On: 0.258 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 17 ns. Td(on): 9 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. ID (T=100°C): 3.67A. Funktion: Lav portopladning. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 30/01/2025, 15:25.

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.