FQP17P10

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	10.89kr	13.61kr
5 - 9	10.35kr	12.94kr
10 - 24	9.80kr	12.25kr
25 - 49	9.26kr	11.58kr
50 - 99	9.04kr	11.30kr
100 - 249	8.82kr	11.03kr
250+	8.39kr	10.49kr

Antal	U.P
1 - 4	10.89kr	13.61kr
5 - 9	10.35kr	12.94kr
10 - 24	9.80kr	12.25kr
25 - 49	9.26kr	11.58kr
50 - 99	9.04kr	11.30kr
100 - 249	8.82kr	11.03kr
250+	8.39kr	10.49kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Udsolgt

Sæt med 1

FQP17P10. C (i): 850pF. Omkostninger): 310pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. On-resistance Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 30/01/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!