FQP33N10

FQP33N10. C (i): 1150pF. Omkostninger): 320pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. On-resistance Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 80 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 127W. Funktion: Hurtigt skifte, lav portopladning. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 30/01/2025, 15:25.