FQP3P50

FQP3P50. C (i): 510pF. Omkostninger): 70pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10.8A. ID (T=100°C): 1.71A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 85W. On-resistance Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 12 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 30/01/2025, 15:25.