FQPF10N60C

FQPF10N60C. C (i): 1570pF. Omkostninger): 166pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. On-resistance Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 144 ns. Td(on): 23 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtig kontakt, lav portopladning 44nC, lav Crss 18pF. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 12/01/2025, 19:25.