FQT1N60CTF

FQT1N60CTF. C (i): 130pF. Omkostninger): 19pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Mærkning på kabinettet: FQT1N60C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.1W. On-resistance Rds On: 9.3 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 13 ns. Td(on): 7 ns. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 4. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 18/01/2025, 06:25.