G60N04K

G60N04K. C (i): 1800pF. Omkostninger): 280pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=25°C): 60A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): n/a. Mærkning på kabinettet: G60N04K. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. On-resistance Rds On: 5.3m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Teknologi: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 40V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1.1V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 2500. Funktion: power switching, DC/DC konvertere. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 18/01/2025, 05:25.