Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 98.72kr | 123.40kr |
2 - 2 | 93.79kr | 117.24kr |
3 - 4 | 88.85kr | 111.06kr |
5 - 9 | 83.91kr | 104.89kr |
10 - 14 | 81.94kr | 102.43kr |
15 - 19 | 79.96kr | 99.95kr |
20 - 27 | 77.00kr | 96.25kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 98.72kr | 123.40kr |
2 - 2 | 93.79kr | 117.24kr |
3 - 4 | 88.85kr | 111.06kr |
5 - 9 | 83.91kr | 104.89kr |
10 - 14 | 81.94kr | 102.43kr |
15 - 19 | 79.96kr | 99.95kr |
20 - 27 | 77.00kr | 96.25kr |
IGW75N60H3. C (i): 4620pF. Omkostninger): 240pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Funktion: Meget lav VCEsat. Kollektorstrøm: 140A. Ic (puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Mærkning på kabinettet: G75H603. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 428W. RoHS: ja . Leveringstid: KB. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 265 ns. Td(on): 31 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -40...+175°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.85V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop teknologi IGBT transistor. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 18/01/2025, 03:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.