IPB80N03S4L-02

IPB80N03S4L-02. C (i): 7500pF. Omkostninger): 1900pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificeret. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Mærkning på kabinettet: 4N03L02. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 136W. On-resistance Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 62 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: effekt MOSFET transistor. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Vgs (th) maks.: 2.2V. Vgs (th) min.: 1V. Spec info: Ultra lav modstandsdygtighed. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 18/01/2025, 02:25.