IRF2805

IRF2805. C (i): 5110pF. Omkostninger): 1190pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Hurtig skift, bilapplikationer. Id(imp): 700A. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 330W. On-resistance Rds On: 3.9M Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 68 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 18/01/2025, 00:25.