IRF2903ZS

IRF2903ZS. C (i): 6320pF. Omkostninger): 1980pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 290W. On-resistance Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 48 ns. Td(on): 24 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 18/01/2025, 00:25.