IRF3415

IRF3415. C (i): 2400pF. Omkostninger): 640pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 260 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 43A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. On-resistance Rds On: 0.0042 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 71 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 150V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 17/01/2025, 23:25.