IRF3711S

IRF3711S. C (i): 2980pF. Omkostninger): 1770pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 48 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højfrekvent isoleret DC-DC. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. On-resistance Rds On: 4.7M Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 17 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 20V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 17/01/2025, 23:25.