IRF9Z34NS

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	10.32kr	12.90kr
5 - 9	9.80kr	12.25kr
10 - 24	9.28kr	11.60kr
25 - 49	8.77kr	10.96kr
50 - 99	8.56kr	10.70kr
100 - 249	7.60kr	9.50kr
250 - 645	7.23kr	9.04kr

Antal	U.P
1 - 4	10.32kr	12.90kr
5 - 9	9.80kr	12.25kr
10 - 24	9.28kr	11.60kr
25 - 49	8.77kr	10.96kr
50 - 99	8.56kr	10.70kr
100 - 249	7.60kr	9.50kr
250 - 645	7.23kr	9.04kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 645

Sæt med 1

IRF9Z34NS. C (i): 620pF. Omkostninger): 280pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 54ms. Type transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 19A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 68W. On-resistance Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 30 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 17/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!