IRFB11N50A

IRFB11N50A. C (i): 1423pF. Omkostninger): 208pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 170W. On-resistance Rds On: 0.52 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 32 ns. Td(on): 14 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtig omskifter, lav portopladning 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 17/01/2025, 00:25.