IRFB3207Z

IRFB3207Z. C (i): 6920pF. Omkostninger): 600pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 36ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højeffektiv synkron ensretning i skiftende strømforsyninger. Id(imp): 670A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 20uA. Mærkning på kabinettet: FB3207. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 55 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 75V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 17/01/2025, 00:25.