IRFB3307Z

IRFB3307Z. C (i): 4750pF. Omkostninger): 420pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højeffektiv synkron ensretning i skiftende strømforsyninger. Id(imp): 512A. ID (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. On-resistance Rds On: 0.0046 Ohm. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 38 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 75V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 17/01/2025, 00:25.