IRFB52N15D

IRFB52N15D. C (i): 2770pF. Omkostninger): 590pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Mærkning på kabinettet: FB52N15D. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. On-resistance Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 28 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 150V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Funktion: Højfrekvente DC-DC konvertere, Plasma Display. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 17/01/2025, 00:25.