IRFB5615PBF

IRFB5615PBF. C (i): 1750pF. Omkostninger): 155pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: til klasse-D lydforstærkerapplikationer. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 20uA. Mærkning på kabinettet: IRFB5615PbF. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 144W. On-resistance Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 17.2ns. Td(on): 8.9 ns. Teknologi: Digital Audio MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 150V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 3V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 17/01/2025, 00:25.