IRFD9110

IRFD9110. C (i): 200pF. Omkostninger): 94pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 82 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 5.6A. ID (T=100°C): 0.49A. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 15 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: HEXFET POWWER MOSFET. Hus: DIP. Hus (i henhold til datablad): DH-1 house, DIP-4. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 16/01/2025, 20:25.