IRFL9110

IRFL9110. C (i): 200pF. Omkostninger): 94pF. Kanaltype: P. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.69A. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3.1W. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 15 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 16/01/2025, 18:25.