IRFR1205

IRFR1205. C (i): 1300pF. Omkostninger): 410pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 65 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 107W. On-resistance Rds On: 0.027 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 47 ns. Td(on): 7.3 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+155°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Funktion: Ultra lav tænd-modstand, hurtig skift. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 16/01/2025, 11:25.