IRFR9014

IRFR9014. C (i): 270pF. Omkostninger): 170pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: FET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. On-resistance Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 9.6 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 16/01/2025, 11:25.