IRLR120N

IRLR120N. C (i): 440pF. Omkostninger): 97pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Ækvivalenter: IRLR120NTRPBF. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 48W. On-resistance Rds On: 0.185 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 23 ns. Td(on): 4 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Spec info: Portstyring efter logisk niveau. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 26/01/2025, 17:25.