IRLR3110ZPBF

IRLR3110ZPBF. C (i): 3980pF. Omkostninger): 170pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 34-51 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Ækvivalenter: IRLR3110ZPbF. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 79W. On-resistance Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: ±16. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Funktion: Ultra lav tænd-modstand, hurtig skift. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 26/01/2025, 18:25.